L'effetto Early è un fenomeno caratteristico di tutti i transistor a giunzione bipolare (BJT, bipolar junction transistor) che consiste nella variazione della larghezza della base di un BJT dovuta ad una variazione della tensione fra base e collettore V C B {\displaystyle V_{CB}} , la cui giunzione in regione lineare si trova in polarizzazione inversa. Infatti, fissato un valore di tensione base-emettitore, all'aumentare della tensione collettore-emettitore, aumenta la tensione di polarizzazione inversa della giunzione Base-collettore ( V B C < 0 ) {\displaystyle (V_{BC}<0)} di conseguenza aumentando la larghezza della regione di svuotamento di tale giunzione. Tutto ciò porta ad una riduzione della larghezza totale della base del transistore, e poiché la corrente di saturazione I S {\displaystyle I_{\mathrm {S} }} è inversamente proporzionale alla larghezza della base, l'aumento della I S {\displaystyle I_{\mathrm {S} }} produce anche un aumento della corrente di collettore I C {\displaystyle I_{\mathrm {C} }} , la quale può essere espressa nei seguenti modi:

I C = I S ( e V B E V T 1 ) ( 1 V C B V A ) {\displaystyle I_{\mathrm {C} }=I_{\mathrm {S} }\left(e^{\frac {V_{\mathrm {BE} }}{V_{\mathrm {T} }}}-1\right)\left(1 {\frac {V_{\mathrm {CB} }}{V_{\mathrm {A} }}}\right)}

e, sapendo che V C B = V C E V E B = V C E V B E {\displaystyle V_{CB}=V_{CE} V_{EB}=V_{CE}-V_{BE}} può essere approssimata come segue

I C I S ( e V B E V T 1 ) ( 1 V C E V A ) {\displaystyle I_{\mathrm {C} }\simeq I_{\mathrm {S} }\left(e^{\frac {V_{\mathrm {BE} }}{V_{\mathrm {T} }}}-1\right)\left(1 {\frac {V_{\mathrm {CE} }}{V_{\mathrm {A} }}}\right)}

con V A {\displaystyle V_{\mathrm {A} }} che prende il nome di tensione di Early, con valori tipicamente compresi fra 10 V {\displaystyle 10V} e 200 V {\displaystyle 200V} .

Tale effetto si può evidenziare osservando la lieve inclinazione delle rette sulla caratteristica di uscita ( V C E {\displaystyle V_{\mathrm {CE} }} e I C {\displaystyle I_{\mathrm {C} }} ), nella regione lineare. Tali rette risultano appartenere ad un fascio, il cui centro è il valore di tensione negativa V A {\displaystyle V_{\mathrm {A} }} .

Modifica al guadagno diretto di corrente

In aggiunta si osserva una variazione del β F {\displaystyle \beta _{F}} in presenza dell'effetto Early, tale per cui:

β F = β F 0 ( 1 V C B V A ) {\displaystyle \beta _{F}=\beta _{F0}\left(1 {\frac {V_{\mathrm {CB} }}{V_{\mathrm {A} }}}\right)}

e come prima,

β F β F 0 ( 1 V C E V A ) {\displaystyle \beta _{F}\simeq \beta _{F0}\left(1 {\frac {V_{\mathrm {CE} }}{V_{\mathrm {A} }}}\right)}

dove β F 0 {\displaystyle \beta _{F0}} è il rapporto I C I B {\displaystyle {\frac {I_{C}}{I_{B}}}} in assenza di effetto Early.

Voci correlate

  • Transistor a giunzione bipolare
  • Mosfet
  • Giunzione p-n

Early effect Alchetron, The Free Social Encyclopedia

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